IS43LD16128C-18BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD16128C-18BLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2000+ | $9.825 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 16 |
Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 533 MHz |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
INTERSIL TQFN16
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LD16128C-18BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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Zielpreis (USD)
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